基于双极性集成电路的ESD保护

　　集成电路需要抗静电保护电路，一些保护电路是内置的，一些保护措施则来自具体的应用电路。为了正确保护IC，需要考虑以下内容：
　　IC内部的ESD保护可以阻止传递到芯片内部敏感电路的较高能量，内部钳位二极管用于保护IC免受过压冲击。应用电路的外部去耦电容可将ESD电压限制在安全水平。然而，小容量的去耦电容可能影响IC的保护电路。如果使用小去耦电容，通常需要外部ESD电压钳位二极管。
　　ESD传递模式
　　ESD电平用电压描述，这个电压源干与IC相连的电容上的储存电荷。一般不会考虑有上千伏的电压作用于IC。为了评估传递给IC的能量，需要一个模拟放电模型的测试装置。
　　ESD测试中一般使用两种充电模式(图1)，人体模式(HBM)下将电荷储存在人体模型(100pF等效电容)中，通过人体皮肤放电(1.5kΩ等效电阻)。机器模式(MM)下将电荷储存在金属物体，机器模式中的放电只受内部连接电感的限制。