IBM公司研制出9nm制程电晶体技术

        最近，IBM官方宣布，该公司已经在发展低于10nm以下的9nm制程电晶体技术，并以碳元素为主要材质。虽然公开旗下技术已经正式突破9nm制程，目前似乎还不会看见IBM将此向技术落实在旗下产品制作，毕竟现阶段仍处于需要调整、稳定的状态，或许之后将会相关技术应用的硬件产品问世，今后可能主要用于企业级处理器中。
        IBM声称，研究人员在近年来发现相较于硅元素，碳元素所制成的电晶体管将具有更好的导电系数，同时还能一举突破硅元素本身在物理上的极限，IBM在近期则是成功制作出以碳元素为主的碳晶体管，并且让制程技术一举突破10nm的障碍，进而进展到更小的9nm制程，同时还能维持一定的控制稳定性，并且可提供更好的电功耗表现，亦即透过相同的电力即可对应更好得效能表现，对于装置长时间运作也有相当助益。